GB/T 43894.1-2024 半导体晶片近边缘几何形态评价 第1部分：高度径向二阶导数法（ZDD）

本文件描述了一系列高度径向二阶导数法（ZDD）评价半导体晶片的近边缘几何形态的方法。 本文件适用于硅抛光片、硅外延片、SOI片及其他带有表面层的圆形晶片，也用于其他半导体材料圆形晶片近边缘几何形态的评价。